中端特供神U后继后人!酷睿i5 13490F甜品游戏主机配置推荐_电竞网

中端特供神U后继后人!酷睿i5 13490F甜品游戏主机配置推荐

来源:电竞网 2023-02-13 22:42:42 电竞资讯

今年1月非K系第13代酷睿发布的时候,没有酷睿i5 12490F的继任者,小狮子当时还觉得有些失,中端价位又少了一个好选择。好在本周Intel悄悄推出了酷睿i5 13490F,中国特供版神U后继有人,不出意外在未来几个月中,这就将是千元级价位的热门选择。趁着产品刚刚上市的热度,小狮子赶紧给大家带来一套基于酷睿i5 13490F的甜品游戏主机配置,供大家在装机时参考。

酷睿i5 13490F是千元价位的不错选择

酷睿i5 13490F依然是中国内地市场的特供版,沿用了特别的黑色包装盒。与上代的酷睿i5 12490F相比,酷睿i5 13490F在三个方面进行了增强。在核心配置方面,得益于整个第13代酷睿i5都配备了小核(能效核),所以酷睿i5 13490F也拥有了6核性能核和4个效能核打造而成的10核16线程的规格。频率方面,酷睿i5 13490F的性能核最高睿频频率达到了4.8GHz,提升了0.2GHz。此外就是缓存容量也提升了4MB,达到了24MB。

有了能效核的加入,性能核就能集中全力应对游戏程序,而后台进程则可以交给能效核,让处理器的游戏性能得到更极致的发挥。再加上全新性能核以及频率、缓存容量的提升,酷睿i5 13490F的游戏性能表现应该会更出色。

与酷睿i5 13400F相比,酷睿i5 13490F有着更高的频率和缓存容量,具有更强的单核性能。从已经泄露出来的CPU-Z测试成绩来看,酷睿i5 13490F的单线程、多线程得分分别为779.7分和6834.5分,比酷睿i5 13400F分别高了6%和4.5%。

在大家关心的价格方面,酷睿i5 13490F的首发价为1599元,而近期酷睿i5 13400F的售价为1579元,差价仅有20元。显然酷睿i5 13400F是当前千元中端价位上的不错选择。

差价100元,我选B760

由于酷睿i5 13490F采用的是LGA 1700接口,可以和B660和B760进行搭配,那么这两种主板该如何选择呢?可能有用户觉得B660价格实惠,性价比高。其实小狮子觉得B760更值得选择。

虽说就芯片组的规格来说,B660和B760几乎就没有区别,不过这并不代表市售的产品就没有区别。就拿本次推荐的华硕TUF GAMING B660M-PLUS WIFI D4重炮手和华硕TUF GAMING B760M-PLUS WIFI D4重炮手来说,后者将供电从10+1相升级到了12+1相。每相供电输出的电流达到50A,具有更为强悍的供电能力,就算是应对酷睿i7也不在话下。

至于价格,华硕TUF GAMING B660M-PLUS WIFI D4重炮手和华硕TUF GAMING B760M-PLUS WIFI D4重炮手仅相差100元,在预算不是那么特别紧张的情况下,个人更建议大家选用料更豪华的新款。

RTX 3060注意选择版本

目前市面上的RTX 3060有8GB和12GB两个版本可选,只是两者之间的性能差别在10%以上,对于追求更好性能的玩家来说,一定要注意选择12GB的版本。

华硕TUF RTX3060-O12G-V2-GAMING版沿用了家族式的硬朗外观设计,外壳由全铝材质机械加工而成具有很好的保护力。这款显卡的组件均经过严格挑选,提供更强的耐久性和稳定性。通过全自动化制程将每个组件精准焊接在PCB上,使得PCB更加美观。再加上144小时的测试,保证每个显卡都有优秀的品质。

散热器部分华硕TUF-RTX3060-O12G-V2-GAMING采用MAXCONTACT镜面直触技术,让散热底座和GPU贴合更紧密。加宽的2.7槽散热鳍片,面积更大,散热效率更高。3个采用双滚珠轴承的升级版轴流风扇采用巧妙地反转设计,以减少散热模组内的空气乱流。风扇还具备只能停转功能,当GPU低于55摄氏度时,风扇就能停转保持安静。

可以说华硕TUF RTX3060-O12G-V2-GAMING版整体做工用料都很不错,适合对产品品质有较高要求的玩家选择。

三星980 Pro降价后性价比提升

在三星990 Pro上市后,980 Pro的价格一降再降,其中1TB版本最新报价已经不到700元,和其他品牌同性能产品价格相当,性价比有了大幅提升。产品采用了Elpis主控芯片,全面支持PCIe 4.0协议,支持128队列并行工作,支持128个I/O队列同步进行数据处理,可以同步处理最高超过800万个命令。这样的性能,足以满足绝大部分用户,最为严苛的数据存储需求,同时也将满足PCIe4.0时代下大家对于固态硬盘主控性能需求。

同时产品选用的则是三星全新的第六代V-NAND TLC闪存颗粒。这颗闪存充分利用三星独创的“通道孔蚀刻”技术,通过建立一个由100多个层组成的导电晶片堆栈。从上到下垂直穿孔,形成均匀的三维电荷阱闪存(CTF)单元,从而实现在9x层单堆栈结构基础上增加了大约40%的存储单元。同时,三星还进行了更优化的电路设计,使其能够实现比第五代V-NAND更快的数据传输速度,而写入操作的时间少于450微秒(μs),读取操作的时间少于45μs,实现了真正意义上的速度提升的同时,降低功耗。